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簡單的密勒效應的實驗電路

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簡單的密勒效應的實驗電路

下圖是一個簡單的密勒效應的實驗電路，可以應用于控制工作電流不大的電路的上電沖擊電流。


電路中C1即Cgs，可以防止Vgs抖動，VIN開啟通常都是開關或者直接插拔，Cgs有助于消除由于機械抖動導致的Vgs抖動，所以C1不能太小。C2即Cdg，Cdg與一個小電阻串聯(lián)，主要目的是防止Idg過大，此外上電時，C1和C2有一個交流分壓，所以C1最好遠大于C2，防止MOS管誤開啟。D2是一個TVS，防止Vgs過壓，導致MOS管閂鎖。



三、相關計算

既然是計算，那么面臨的問題就是計算什么？我們要利用密勒效應控制沖擊電流，那么電流，也就是Ids是我們的計算對象。通過上文我們知道，密勒效應期間MOS管的柵源電壓Ugs是保持不變的，那么Ugs就是我們需要計算的對象。

Ugs和Ids，共兩個未知數(shù)，因此，需要建立兩個獨立的方程才能求得結果。

方程一

第一個方程來自于MOS管的特性，MOS管是電壓控制型器件，由Ugs可以控制Ids，從教科書上可以找到如下公式 ，

Ids=Ido(Ugs/Ugs(th)-1)^2

上述公式需要兩個參數(shù)，就是Ido和Ugs(th)，獲取這個參數(shù)最好的方式，就是從MOS管的規(guī)格書上找到轉移特性曲線，如下圖

然后根據(jù)實際的Ids和Ugs，挑出兩組值，就可以解出Ido和Ugs(th)。也可以用多組值利用數(shù)值方法，最小二乘法之類的擬合出一個Ido和Ugs(th)。

有了方程一，Ids和Ugs關系就知道了。

方程二

第二個方程來自于密勒效應，即密勒效應期間，柵源電源Ugs保持不變。

就是dUgs/dt=0，上文推出了Ids/Cds=Idg/Cdg。

此時又多了一個Idg為未知數(shù)，但Idg是實際電路電路參數(shù)決定的。

分析一下第二節(jié)中的電路圖。

(Vin-Vsg)/R2-Idg=Vsg/R1

也就是(Vin-Vsg)/R2-IdsCdg/Cds=Vsg/R1，這就是方程二

方程二也說明可以通過電路參數(shù)人為控制密勒平臺。

實測驗證

有示波器和資源的可以焊接一個單板，利用示波器測試，看看與理論計算值是否相符。電源適配器公司驗證過，但信息安全比較嚴，圖片什么的就弄不出來了。好希望家里有個示波器。

要想在示波器上看到密勒平臺，需要注意兩點：

恒流期的Ugs要明顯大于穩(wěn)定時的Ugs(也就是R1和R2分壓)，太接近就看不出來。
密勒平臺持續(xù)時間要長，太短就看不出來，也就是恒流對負載電容充電的時間，電容電壓高于一定值就會退出恒流區(qū)，這就要求要么充電電流小，要么負載電容很大。
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| 發(fā)布時間：2018.06.21    來源：電源適配器廠家
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