斷續(xù)模式反激電源適配器設計實例 | ||||||||||
隨著世界范圍內(nèi)對節(jié)能和環(huán)保的日益重視,使得電源行業(yè)對電源適配器的工作能效和待機損耗的要求不斷增加,本文以15W繼續(xù)式反激電源適配器為研究背景。設計一個完全能量傳遞反激式電源適配器 斷續(xù)模式的反激電源適配器設計,其技術(shù)指標如下: 輸入電壓:41~57VDC; 輸出電壓:17V; 輸出電流:0.8A; 額定效率:ηN≥80%; 開關頻率:f=82kHz。 斷續(xù)模式反激電源適配器電路設計 反激電源適配器電源適配器的電路原理圖如圖所示。主控芯片采用電流型控制芯片UC3843;輸入輸出電氣隔離;主控芯片UC3843與輸入為同一參考,這樣便于驅(qū)動、電流采樣和芯片的啟動;電壓誤差放大器與輸出為同一參考,誤差放大后的信號由光耦合器隔離傳回輸入側(cè);芯片啟動以后供電由主電路的一個輔助繞組提供;變壓器原邊繞組加RCD吸收回路;輸出加LED指示燈。 圖反激電源適配器電路原理圖 反激電源適配器RCD緩沖器的設計 圖是考慮寄生元件時反激式電源適配器的結(jié)構(gòu),這些寄生元件有:原邊和副邊的漏感Llk1和Llk2,MOSFET輸出電容Coss,二次側(cè)二極管結(jié)電容Cj。 圖帶寄生元件的反激式電源適配器結(jié)構(gòu) 工作于CCM和DCM下的id、iD和Vds的波形如圖12-3所示。當MOSFET關斷時,原邊電流(id)短時間內(nèi)給MOSFET的Coss充電,當Coss兩端電壓Vds超過輸入電壓與反射電壓之和(Vin+nVo)時,二次側(cè)二極管導通,電感Lm兩端電壓鉗于nVo。Llk1和Coss之間會有高頻諧振和高的浪涌電壓,這個過高的電壓會作用于MOSFET,可能會引起MOSFET燒毀。 在CCM下,二次側(cè)二極管保持導通直到MOSFET導通,當MOSFET導通時,二極管的反向恢復電流被加到原邊電路上,因此在MOSFET導通瞬間會在原邊電路里出現(xiàn)大的浪涌電流;在DCM情況下,一個開關周期結(jié)束以前,副邊電流已經(jīng)降到0,Lm和MOSFET的Coss之間發(fā)生諧振。 Llk1與Coss諧振時會產(chǎn)生過高電壓,應該用緩沖電路來吸收這一電壓過沖,使開關管得到保護。 需要提醒讀者,反激電源適配器的優(yōu)化設計是一個具有多個相互聯(lián)系的自變量的復雜數(shù)學模型,目前本文所闡述的優(yōu)化設計方法也只是在假設一些變量固定的基礎上進行的,因此,本課題的優(yōu)化設計結(jié)果并非最優(yōu)結(jié)果。只是在一定的范圍內(nèi)的最優(yōu)化設計
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| 發(fā)布時間:2019.07.08 來源:電源適配器廠家 |
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