資深工程師從7個方面分析開關電源的設計細節(jié)

1電源設計項目前期各個參數(shù)注意細節(jié)

借鑒下NXP這個TEA 1832圖紙做個說明。分析里面的電路參數(shù)設計與優(yōu)化并做到認證至量產(chǎn)。所有的元器件中盡量選擇公司倉庫里面的元件，和量大的元件，方便后續(xù)降本錢拿價格。

貼片電阻采用06035%08055%1%貼片電容容值越大價格越高，設計時需考慮。

1輸入端，F(xiàn)USE選擇需要考慮到I^2T參數(shù)。安全絲的分類，快斷，慢斷，電流，電壓值，安全絲的認證是否齊全。安全絲前的安規(guī)距離2.5mm以上。設計時盡量放到3mm以上。需考慮打雷擊時，安全絲I2T否有余量，會不會打掛掉。

2這個圖中可以增加個壓敏電阻，一般采用14D471也有采用561直徑越大抗浪涌電流越大，也有增強版的10S47114S471等，一般14D471打1KV2KV雷擊夠用了增加雷擊電壓就要換成MOV+GDT有必要時，壓敏電阻外面包個熱縮套管。

3NTC這個圖中可以增加個NTC有的客戶有限制冷啟動浪涌電流不超過60A 30A NTC另一個目的還可以在雷擊時扛部分電壓，減下MOSFET壓力。選型時注意NTC電壓，電流，溫度等參數(shù)。

4共模電感，傳導與輻射很重要的一個濾波元件，共模電感有環(huán)形的高導材料5K7K0K12K15K常用繞法有分槽繞，并繞，蝶形繞法等，還有UU型，分4個槽的ET型。這個如果能共用老機種的，本錢考慮，傳導輻射測試完成后才能定型。

5X電容的選擇，這個需要與共模電感配合測試傳導與輻射才干定容值，一般情況為功率越大X電容越大。

6如果做認證時有輸入LN放電時間要求，需要在X電容下放2并2串的電阻給電容放電。

7橋堆的選擇一般需要考慮橋堆能過得浪涌電流，耐壓和散熱，防止雷擊時掛掉。

8VCC啟動電阻，注意啟動電阻的功耗，主要是耐壓值，1206一般耐壓200V0805一般耐壓150V能多留余量比較好。

9輸入濾波電解電容，一般看成本的考慮，輸出堅持時間的10mS依照電解電容容值的小情況80%容值設計，不同廠家和不同的設計經(jīng)驗有點出入，有一點要注意普通的電解電容和扛雷擊的電解電容，電解電容的紋波電流關系到電容壽命，這個看和具體的系列了

10輸入電解電容上有并聯(lián)一個小瓷片電容，這個平時體現(xiàn)不出來用處，做傳導抗擾度時有效果。

11RCD吸收局部，R取值對應MOSFET上的尖峰電壓值，如果采用貼片電阻需注意電壓降額與功耗。C一般取102/1031KV高壓瓷片，整改輻射時也有可能會改為薄膜電容效果好。D一般用FR107FR207整改輻射時也有改為1N4007情況或者其他慢管，或者在D上套磁珠(K5A K5C等材質(zhì))小功率電源，RC可以采用TVS管替代，如P6KE160等。

12MOSFET選擇，起機和短路情況需要注意SOA 高溫時的電流降額，低溫時的電壓降額。一般600V2-12A 足夠用與100W以內(nèi)的反激，根據(jù)本錢來權(quán)衡選型。整改輻射時很多方法沒有效果的時候，換個MOSFET就過了情況經(jīng)常有。

13MOSFET驅(qū)動電阻一般采用10R+20R阻值大小對應開關速度，效率，溫升。這個參數(shù)需要整改輻射時調(diào)整。

14MOSFETGA TESOURCE端需要增加一個10K-100K電阻放電。

15MOSFETSOURCEGND之間有個Isens電阻，功率盡量選大，盡量采用繞線無感電阻。功率小，或者有感電阻短路時有遇到過炸機現(xiàn)象。

16Isens電阻到ICIsens增加1個RC取值1K331調(diào)試時可能有作用，如果采用這個TEA 1832電路為參考，增加一個C并聯(lián)到GND

17不同的IC外圍引腳參考設計手冊即可，根據(jù)自己的經(jīng)驗在IC引腳處放濾波電容。

18更改前：變壓器的設計，反激變壓器設計論壇里面討論很多，不多說。還是考慮本錢，盡量不在變壓器里面加屏蔽層，頂多在變壓器外面加個十字屏蔽。變壓器一定要驗算deltaB值，deltaB=L*Ipk/N*A eLuHIpkAN為初級砸數(shù)(TAemm2有興趣驗證這個公式可以在低電壓輸入，輸出負載不時增加，看到變壓器飽和波形，飽和時計算結(jié)果應該是500mT左右。變壓器的VCC輔助繞組盡量用2根以上的線并繞，之前很大批量時有碰到過有幾個輔助繞組輕載電壓不夠或者重載時VCC過壓的情況，2跟以上的VCC輔助繞線能盡量耦合更好解決電壓差別大這個問題。

18更改后：變壓器的設計，反激變壓器設計論壇里面討論很多，不多說。還是考慮本錢，盡量不在變壓器里面加屏蔽層，頂多在變壓器外面加個十字屏蔽。變壓器一定要驗算deltaB值，防止高溫時磁芯飽和。deltaB=L*Ipk/N*A eLuHIpkAN為初級砸數(shù)(TAemm2參考TDG公司的磁芯特性(100℃)飽和磁通密度390mT剩磁55mT所以ΔB值一般取330mT以內(nèi)，呈現(xiàn)異常情況不飽和，一般取值小于300mT以內(nèi)。之前做反激變壓器取值都是小于0.3附，學習zhangyip經(jīng)驗(所以一般的磁通密度選擇1500高斯，變壓器小的可以選大一些，變壓器大的要選小一些，頻彔高的減小頻彔低的可以大一些吧。

變壓器的VCC輔助繞組盡量用2根以上的線并繞，之前很大批量時有碰到過有幾個輔助繞組輕載電壓不夠或者重載時VCC過壓的情況，2跟以上的VCC輔助繞線能盡量耦合更好解決電壓差別大這個問題。