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簡(jiǎn)單的密勒效應(yīng)的實(shí)驗(yàn)電路

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簡(jiǎn)單的密勒效應(yīng)的實(shí)驗(yàn)電路

下圖是一個(gè)簡(jiǎn)單的密勒效應(yīng)的實(shí)驗(yàn)電路,可以應(yīng)用于控制工作電流不大的電路的上電沖擊電流。


電路中C1即Cgs,可以防止Vgs抖動(dòng),VIN開啟通常都是開關(guān)或者直接插拔,Cgs有助于消除由于機(jī)械抖動(dòng)導(dǎo)致的Vgs抖動(dòng),所以C1不能太小。C2即Cdg,Cdg與一個(gè)小電阻串聯(lián),主要目的是防止Idg過大,此外上電時(shí),C1和C2有一個(gè)交流分壓,所以C1最好遠(yuǎn)大于C2,防止MOS管誤開啟。D2是一個(gè)TVS,防止Vgs過壓,導(dǎo)致MOS管閂鎖。



三、相關(guān)計(jì)算

既然是計(jì)算,那么面臨的問題就是計(jì)算什么?我們要利用密勒效應(yīng)控制沖擊電流,那么電流,也就是Ids是我們的計(jì)算對(duì)象。通過上文我們知道,密勒效應(yīng)期間MOS管的柵源電壓Ugs是保持不變的,那么Ugs就是我們需要計(jì)算的對(duì)象。

Ugs和Ids,共兩個(gè)未知數(shù),因此,需要建立兩個(gè)獨(dú)立的方程才能求得結(jié)果。

方程一

第一個(gè)方程來自于MOS管的特性,MOS管是電壓控制型器件,由Ugs可以控制Ids,從教科書上可以找到如下公式 ,

Ids=Ido(Ugs/Ugs(th)-1)^2

上述公式需要兩個(gè)參數(shù),就是Ido和Ugs(th),獲取這個(gè)參數(shù)最好的方式,就是從MOS管的規(guī)格書上找到轉(zhuǎn)移特性曲線,如下圖

然后根據(jù)實(shí)際的Ids和Ugs,挑出兩組值,就可以解出Ido和Ugs(th)。也可以用多組值利用數(shù)值方法,最小二乘法之類的擬合出一個(gè)Ido和Ugs(th)。

有了方程一,Ids和Ugs關(guān)系就知道了。

方程二

第二個(gè)方程來自于密勒效應(yīng),即密勒效應(yīng)期間,柵源電源Ugs保持不變。

就是dUgs/dt=0,上文推出了Ids/Cds=Idg/Cdg。

此時(shí)又多了一個(gè)Idg為未知數(shù),但I(xiàn)dg是實(shí)際電路電路參數(shù)決定的。

分析一下第二節(jié)中的電路圖。

(Vin-Vsg)/R2-Idg=Vsg/R1

也就是(Vin-Vsg)/R2-IdsCdg/Cds=Vsg/R1,這就是方程二

方程二也說明可以通過電路參數(shù)人為控制密勒平臺(tái)。

實(shí)測(cè)驗(yàn)證

有示波器和資源的可以焊接一個(gè)單板,利用示波器測(cè)試,看看與理論計(jì)算值是否相符。電源適配器公司驗(yàn)證過,但信息安全比較嚴(yán),圖片什么的就弄不出來了。好希望家里有個(gè)示波器。

要想在示波器上看到密勒平臺(tái),需要注意兩點(diǎn):

恒流期的Ugs要明顯大于穩(wěn)定時(shí)的Ugs(也就是R1和R2分壓),太接近就看不出來。
密勒平臺(tái)持續(xù)時(shí)間要長(zhǎng),太短就看不出來,也就是恒流對(duì)負(fù)載電容充電的時(shí)間,電容電壓高于一定值就會(huì)退出恒流區(qū),這就要求要么充電電流小,要么負(fù)載電容很大。
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| 發(fā)布時(shí)間:2018.06.21    來源:電源適配器廠家
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