高壓晶體管的抗飽和技術(shù) |
在高壓雙極型開關(guān)晶體管中,“下降時(shí)間”(關(guān)斷沿的速度或者dv/dt)主要由基極驅(qū)動(dòng)關(guān)斷電流特性曲線的形狀來決定,見第一部分第15章。從基極關(guān)斷驅(qū)動(dòng)的施加到真正關(guān)斷沿之間的延時(shí)是存儲(chǔ)延時(shí)時(shí)間,它取決于關(guān)斷之前的基區(qū)少數(shù)載流子濃度。 存儲(chǔ)時(shí)間可以通過使少數(shù)載流子最低來最小化,具體地說,在晶體管關(guān)斷之前,保證其基極電流剛好滿足驅(qū)動(dòng),而保持晶體管處在準(zhǔn)飽和的狀態(tài)。 經(jīng)常用來實(shí)現(xiàn)使少數(shù)載流子濃度最低的一種方法叫作二極管貝克鉗位電路。因?yàn)檫@種方法的優(yōu)點(diǎn)是對驅(qū)動(dòng)進(jìn)行帶負(fù)反饋的動(dòng)態(tài)鉗位,所以能夠?qū)Ω鞣N器件的增益以及飽和電壓不可避免的變化有補(bǔ)償作用,同時(shí)它也會(huì)對由于溫度與負(fù)載變化而引起的開關(guān)晶體管參數(shù)的變化做出反應(yīng)。
二極管貝克鉗位電路 圖中是一個(gè)典型的貝克錯(cuò)位電路,它的工作原理如下。
二極管D1、D2與基極驅(qū)動(dòng)元件串聯(lián)連到Q1的基極,A點(diǎn)驅(qū)動(dòng)電壓包括二極管DD2上的壓降和Q1基射極電壓V=,在Q1導(dǎo)通時(shí)A點(diǎn)驅(qū)動(dòng)電壓近似達(dá)到2V。 當(dāng)Q1導(dǎo)通時(shí),其集電極電壓開始下降,當(dāng)這個(gè)集電極電壓降到約1。3V時(shí),D3開始導(dǎo)通,使基極驅(qū)動(dòng)電流分流到Q1的集電極。這個(gè)鉗位行為受負(fù)反饋控制,自調(diào)整將一直持續(xù)到Q1的集電極電壓有效地鉗位在1.3V上為止。 這樣的話,晶體管始終保持在準(zhǔn)飽和導(dǎo)通狀態(tài),以最少的基極驅(qū)動(dòng)電流維持這種狀態(tài)。在導(dǎo)通時(shí)這個(gè)準(zhǔn)飽和狀態(tài)維持基區(qū)的最少的少數(shù)載流子數(shù),從而在關(guān)斷期獲得最小的延時(shí)時(shí)間。在關(guān)斷期,D4給Q1基極的反向關(guān)斷電流提供了一條通路。 在基極電路中二極管數(shù)目D1、D2、…、D。的選擇應(yīng)該和晶體管的飽和電壓匹配。這個(gè)鉗位電壓應(yīng)該高于在工作電流下的品體管正常的飽和集電極電壓,確保在準(zhǔn)飽和導(dǎo)通狀態(tài)下真正維持晶體管工作。 這項(xiàng)技術(shù)有一個(gè)缺點(diǎn)是,在導(dǎo)通期間Q1的集電極電壓略高于深飽和時(shí)的集電極電壓這增加了晶體管的功耗。 圖中所示是貝克鉗位電路與低損耗組合緩沖二極管的完美組合。
文章轉(zhuǎn)載自網(wǎng)絡(luò),如有侵權(quán),請聯(lián)系刪除。 |
| 發(fā)布時(shí)間:2018.09.14 來源:充電器廠家 |
上一個(gè):正確關(guān)斷波形和正確接通波形 | 下一個(gè):緩沖網(wǎng)絡(luò)工作原理 |
東莞市玖琪實(shí)業(yè)有限公司專業(yè)生產(chǎn):電源適配器、充電器、LED驅(qū)動(dòng)電源、車載充電器、開關(guān)電源等....